TOS7210S 絕緣電阻測(cè)試儀
主要特點(diǎn):
- 可在 50Vdc-2000Vdc(分辨率 1V)范圍內(nèi)實(shí)施設(shè)定
- 可通過面板側(cè)的開關(guān)即時(shí)切換施加電壓極性
- 輸出端子與接地電位間為浮地狀態(tài)。只測(cè)量通過測(cè)量點(diǎn)間的電流
- 可對(duì)電流測(cè)量值或電阻測(cè)量值進(jìn)行切換顯示
PID 絕緣測(cè)試儀(TOS7210S)是為準(zhǔn)確有效地對(duì)太陽能電池模塊的 PID(Potential Induced Degradation) 現(xiàn)象進(jìn)行評(píng)估, 以絕緣電阻測(cè)試儀(TOS7200)為基礎(chǔ)設(shè)計(jì)而成的測(cè)試儀。附有極性切換功能,輸出電壓可達(dá) 2000V, 同時(shí)裝載了 nA 級(jí)分辨率的電流表,因此不只可以進(jìn)行 PID 評(píng)估,還可以用于要求進(jìn)行高敏感度測(cè)試的絕緣體評(píng)估測(cè)試。標(biāo)準(zhǔn)安裝了可從外部調(diào)用的面板存儲(chǔ)器及 RS232C 接口,因此也可以靈活對(duì)應(yīng)自動(dòng)化系統(tǒng)。
PID 現(xiàn)象是指太陽能電池與邊框長期被施以高電壓,電池發(fā)電量顯著降低的現(xiàn)象。目前認(rèn)為所施加的電壓越高并且越是在高溫、高濕的 環(huán)境下劣化現(xiàn)象越嚴(yán)重。如晶體硅太陽能電池模塊的輸出電壓即使只有數(shù)十 V,一旦直接連接的片數(shù)增加,串內(nèi)的電位差將變得非常 高。一方面,PCS(Power Conditioning System)作為交流電源與系統(tǒng)相連 , 使接地形態(tài)發(fā)生變化。輸入端采用浮接(一側(cè)電極不能接地 線)的無變壓器方式近年也有所增加。這種情況下電池和地線間將發(fā)生高電位差。晶體硅太陽能電池模塊中,相對(duì)于邊框(接地線)負(fù)極電位高的電池容易發(fā)生 PID 現(xiàn)象。(請(qǐng)參照?qǐng)D 1) 目前,日本國內(nèi)以 Max 600V、歐洲以 max 1000V 的系統(tǒng)電壓運(yùn)行太陽能電池模塊,但是目前出現(xiàn)了提高 Max 系統(tǒng)電壓以削減企業(yè)用大規(guī)模太陽能發(fā)電系統(tǒng)的串?dāng)?shù)、PCS 總數(shù),提高發(fā)電效率的趨勢(shì)。
圖1
圖 2 模擬了晶體硅太陽能電池模塊處于高電位差的狀況。 邊框?yàn)檎龢O電位、模塊電路處于負(fù)極高電位的狀況。晶體硅太陽能電池模塊的PID現(xiàn)象被認(rèn)為是白板強(qiáng)化玻璃內(nèi)的鈉離子向單元側(cè)移動(dòng),從而引起劣化。(薄膜類太陽能電池模塊也被確認(rèn)出現(xiàn) PID 現(xiàn)象,但是發(fā)生劣化的機(jī)制與晶體硅太陽能電池模塊不同。)現(xiàn)在,各種研究機(jī)構(gòu)正在通過研究、試驗(yàn)查找 PID 現(xiàn)象的原因。
圖2
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