SigOFIT 光隔離探頭
基于獨家 SigOFIT? 技術(shù)的光隔離探頭,擁有極高的共模抑制比和隔離電壓,在其帶寬范圍內(nèi)洞見信號的全部真相,是判定其他電壓探頭所測信號真實性的終極裁判。此外,SigOFIT光隔離探頭采用先進的激光供電技術(shù),完美解決了隔離供電的問題。
帶寬:DC-1GHz 共模電壓: 60kVpk
直流增益精度:1% 共模抑制比:高達180dB
基于獨家 SigOFIT? 技術(shù)的光隔離探頭,擁有極高的共模抑制比和隔離電壓,在其帶寬范圍內(nèi)洞見信號的全部真相,是判定其他電壓探頭所測信號真實性的終極裁判。此外,SigOFIT光隔離探頭采用先進的激光供電技術(shù),完美解決了隔離供電的問題。
帶寬:DC-1GHz 共模電壓: 60kVpk
直流增益精度:1% 共模抑制比:高達180dB
SigOFIT光隔離探頭具有極高的共模抑制比,在100MHz時CMRR高達128dB、在1GHz時CMRR仍然高達108dB,是判定其他電壓探頭所測信號真實性的終極裁判。
作為判定其他電壓探頭所測信號真實性的終極裁判,測試精度是SigOFIT光隔離探頭的重要指標。SigOFIT光隔離探頭,具有極佳的幅頻特性,直流增益精度優(yōu)于1%,底噪小于0.45mVrms,預(yù)熱5min后零點漂移小于0.1%,增益漂移小于1%。
第三代半導(dǎo)體器件由于導(dǎo)通與關(guān)斷時間很短,信號具有更快的上升沿和下降沿,信號中具有很高能量的高頻諧波,SigOFIT光隔離探頭在最高帶寬時,仍然具有超100dB的共模抑制比,可以近乎完美地抑制高頻共模噪聲所產(chǎn)生的震蕩,所呈現(xiàn)的信號沒有額外多余成分,是第三代半導(dǎo)體測試的不二之選。
SigOFIT光隔離探頭測試引線短且采用同軸傳輸,探頭輸入電容小于2.5pF,測試氮化鎵(GaN)十分安全。
SigOFIT光隔離探頭比傳統(tǒng)高壓差分探頭體積更小,探頭引線更精巧,使用更加靈活方便。
不同于高壓差分探頭只可以測試高壓信號,SigOFIT光隔離探頭通過匹配不同的衰減器,可以測試±0.1V至±5000V的差模信號,并實現(xiàn)滿量程輸出,達到很高的信噪比。
SigOFIT光隔離探頭響應(yīng)快,上電即測,校準時間小于1秒,可實時保證精確的信號輸出。
電源設(shè)備評估、電流并聯(lián)測量、EMI 和 ESD 故障排除
電機驅(qū)動設(shè)計、功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計 、電子鎮(zhèn)流器設(shè)計
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