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  • 在發(fā)送信號鏈設(shè)計中使用差分轉(zhuǎn)單端射頻放大器的優(yōu)勢
    發(fā)布日期：2024-11-19     135 次
    傳統(tǒng)的射頻(RF)發(fā)送信號鏈通常使用數(shù)模轉(zhuǎn)換器(DAC)來生成基帶信號。然后，使用射頻混頻器和本地振蕩器將此信號上變頻為所需的射頻頻率。射頻DAC技術(shù)取得進(jìn)步，現(xiàn)在允許直接以所需的射頻頻率生成信號，從而顯著簡化射頻發(fā)送信號鏈的設(shè)計和復(fù)雜性。高頻射頻DAC具有平衡差分輸
  • 在更寬帶寬應(yīng)用中使用零漂移放大器的注意事項
    發(fā)布日期：2024-11-19     92 次
    零漂移運(yùn)算放大器使用斬波、自穩(wěn)零或這兩種技術(shù)的結(jié)合來消除不需要的低頻誤差源，例如失調(diào)和1/f噪聲。傳統(tǒng)上，此類放大器僅用于低帶寬應(yīng)用中，因為這些技術(shù)在較高頻率時會產(chǎn)生偽像。只要系統(tǒng)設(shè)計時考慮了高頻誤差，例如紋波、毛刺和交調(diào)失真(IMD)等，較寬帶寬的解決方案也可以受益于零漂移運(yùn)算放大器的出色直流性能。零漂移
  • 功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（一）——功率半導(dǎo)體的熱阻
    發(fā)布日期：2024-11-11     281 次
    前言功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)系列文章會比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和工程測量方法。散熱功率半導(dǎo)體器件在開通和關(guān)斷過程中和導(dǎo)通電流時
  • 一文解讀48V-12V DC-DC 轉(zhuǎn)換器核心技術(shù)
    發(fā)布日期：2024-11-11     290 次
    自從1898年汽車首次采用電氣照明以來，市場對于汽車電氣特性和功能的需求日益增長。隨著12V系統(tǒng)的局限性逐漸凸顯，汽車行業(yè)正逐步轉(zhuǎn)向48V系統(tǒng)。這一轉(zhuǎn)變不僅是為了提供更大的電力容量，縮小電線和連接器的尺寸，也是為了支持更多先進(jìn)的電氣功能，并有效降低能耗。在當(dāng)前的輕度混合動力汽車（MHEV）中，通常會配備兩塊電池：
  • 車載充電器材料選擇比較：碳化硅與IGBT
    發(fā)布日期：2024-11-11     164 次
    車載充電器 (OBC) 解決了電動汽車 (EV) 的一個重要問題。它們將來自電網(wǎng)的交流電轉(zhuǎn)換為適合電池充電的直流電，從而實現(xiàn)電動汽車充電。隨著每年上市的電動汽車設(shè)計、架構(gòu)和尺寸越來越豐富，車載充電器的實施也變得越來越復(fù)雜。另外，隨著行業(yè)開始青睞更高電壓的電池以實現(xiàn)更快充電，雙向充電變得越來越普遍，系統(tǒng)設(shè)計師在車載
  • 意法半導(dǎo)體生物感測創(chuàng)新技術(shù)賦能下一代智能穿戴個人醫(yī)療健身設(shè)備
    發(fā)布日期：2024-11-07     127 次
    2024年11月6日，中國 – 服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM） 推出了一款新的面向智能手表、運(yùn)動手環(huán)、智能戒指、智能眼鏡等下一代智能穿戴醫(yī)療設(shè)備的生物傳感器芯片。ST1VAFE3BX芯片集成高精度生物電位輸入與意法半導(dǎo)體的經(jīng)過市場檢驗的
  • 地移動無線電調(diào)制分析儀的技術(shù)原理和應(yīng)用場景
    發(fā)布日期：2024-11-07     104 次
    陸地移動無線電調(diào)制分析儀是一種專用于陸地移動無線電（LMR）系統(tǒng)的高性能測試設(shè)備，其技術(shù)原理和應(yīng)用場景如下：技術(shù)原理陸地移動無線電調(diào)制分析儀通?；谙冗M(jìn)的手持式平臺構(gòu)建，結(jié)合了高性能的接收器/頻譜分析儀和手持式矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀的功能。這些設(shè)備能夠生成和分析多種無線電信號，包括CW、P25（Phase 1 & Phase 2
  • 如何使用GaNFET設(shè)計四開關(guān)降壓－升壓DC－DC轉(zhuǎn)換器？
    發(fā)布日期：2024-11-07     105 次
    在不斷追求減小電路板尺寸和提高效率的征途中，氮化鎵場效應(yīng)晶體管(GaNFET)功率器件已成為破解目前難題的理想選擇。GaN是一項新興技術(shù)，有望進(jìn)一步提高功率、開關(guān)速度以及降低開關(guān)損耗。這些優(yōu)勢讓功率密度更高的解決方案成為可能。當(dāng)前市場上充斥著大量不同的Si MOSFET驅(qū)動器，而新的GaN驅(qū)動器和內(nèi)置GaN驅(qū)動器的控制器還需
  • 為惡劣工業(yè)環(huán)境中的以太網(wǎng)安裝保駕護(hù)航
    發(fā)布日期：2024-11-07     118 次
    如今，“工業(yè)以太網(wǎng)”一詞使用非常頻繁，以至于人們很容易混淆，并開始認(rèn)為它一定與消費(fèi)和計算設(shè)備中使用的以太網(wǎng)有所不同。本博文旨在回顧這種網(wǎng)絡(luò)技術(shù)的演變，并解釋消費(fèi)以太網(wǎng)和工業(yè)以太網(wǎng)的區(qū)別。本文還介紹Nexperia的一系列器件，這些器件可用于保護(hù)以太網(wǎng)網(wǎng)絡(luò)免受靜電放電(ESD)的破壞性影響，無論它們是部署在日常消費(fèi)
  • 我的熱插拔控制器電路為何會振蕩？
    發(fā)布日期：2024-11-07     121 次
    使用高端N溝道MOSFET (NFET)的熱插拔控制器，浪涌抑制器、電子保險絲和理想二極管控制器，在啟動和電壓/電流調(diào)節(jié)期間可能會發(fā)生振蕩。數(shù)據(jù)手冊通常會簡要提到這個問題，并建議添加一個小柵極電阻來解決。然而，如果不清楚振蕩的根本原因，設(shè)計人員就可能難以在布局中妥善放置柵極電阻，使電路容易受到振蕩的影響。本文將討論

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