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  • 微軟ARM芯片架構(gòu)AI筆記本電腦明年出貨增長高達(dá)534%
    發(fā)布日期：2024-08-21     255 次
    8 月 19 日消息，根據(jù) Omdia 最新人工智能筆記本電腦（AI Notebook PC）出貨預(yù)測數(shù)據(jù)顯示，微軟ARM 芯片架構(gòu)（ARM-base）的AI 筆記本電腦出貨量將從 2024 年的八十萬臺躍升至 2029 年的五千八百八十萬臺，預(yù)計年復(fù)合成長率（CAGR）從 2024 年至 2029 年將高達(dá) 136%。特別值得注意的是，微軟 ARM 芯片架構(gòu)
  • 國產(chǎn)GPU廠商礪算科技獲3.2?8億元融資解除破產(chǎn)危機(jī) 東芯股份擬拿下37.88%股權(quán)
    發(fā)布日期：2024-08-21     210 次
    曾被曝?zé)?億融資，處于破產(chǎn)邊緣的國產(chǎn)GPU廠商礪算科技，終于迎來了轉(zhuǎn)機(jī)。8月19日晚間，東芯股份發(fā)布公告稱，公司擬通過自有資金人民幣 2億元向國產(chǎn)GPU廠商——礪算科技（上海）有限公司 （以下簡稱“上海礪算”）增資，認(rèn)購其新增注冊資本500萬元，本次增資后，東芯股份將持有上海礪算約37.88%的股權(quán)。公告顯示，東芯股份
  • ASML CEO重申世界需要中國傳統(tǒng)芯片 盡管落后美國10年
    發(fā)布日期：2024-08-21     238 次
    8月20日消息，據(jù)媒體報道，荷蘭光刻機(jī)巨頭ASMLCEO克里斯托夫·富凱，在向德國媒體提供的聲明中提到，盡管中國在芯片技術(shù)上落后美國約10年，但全世界，特別是汽車行業(yè)，仍然迫切需要中國生產(chǎn)的"傳統(tǒng)芯片"。在此前接受采訪時富凱強(qiáng)調(diào)，全球?qū)鹘y(tǒng)芯片的需求正在急劇上升，而這類芯片的生產(chǎn)利潤并不高，導(dǎo)致西
  • 思特威正式發(fā)布子品牌飛凌微，首發(fā)產(chǎn)品定位智駕視覺處理
    發(fā)布日期：2024-08-21     210 次
    2024年8月8日，中國上海 —思特威（上海）電子科技股份有限公司（股票簡稱：思特威，股票代碼：688213）正式發(fā)布全資子公司品牌——飛凌微電子（Flyingchip?，以下簡稱“飛凌微”）。同時，飛凌微M1車載視覺處理芯片系列正式亮相，包括M1（Camera ISP）以及M1Pro（Camera SoC）和M1Max（Camera SoC）。三款
  • AMD宣布49億美元收購服務(wù)器制造商ZT Systems 大幅提升數(shù)據(jù)中心AI系統(tǒng)能力
    發(fā)布日期：2024-08-21     303 次
    當(dāng)?shù)貢r間2024年8月19日，美國處理器大廠AMD宣布已與全球超大規(guī)模計算公司及AI 基礎(chǔ)設(shè)施的領(lǐng)先提供商ZT Systems簽署收購協(xié)議，AMD 已同意以價值 49 億美元的現(xiàn)金和股票交易收購 ZT Systems，其中包括根據(jù)某些交易完成后的里程碑支付的高達(dá) 4 億美元的或有付款。目前，該交易已獲得 AMD 董事會的一致批準(zhǔn)。該收購目前預(yù)
  • 美國科學(xué)家研發(fā)出新型薄膜半導(dǎo)體,電子遷移速度約為傳統(tǒng)半導(dǎo)體 7 倍
    發(fā)布日期：2024-07-22     247 次
    7 月 20 日消息，來自美國麻省理工學(xué)院、加拿大渥太華大學(xué)等機(jī)構(gòu)的科學(xué)家，利用一種名為三元碲鉍礦（ternary tetradymite）的晶體材料研制出一種新型超薄晶體薄膜半導(dǎo)體。據(jù)介紹，這種 " 薄膜 " 厚度僅 100 納米，其中電子的遷移速度約為傳統(tǒng)半導(dǎo)體的 7 倍從而創(chuàng)下新紀(jì)錄。這一成果有助科學(xué)家研發(fā)出新型高效電子設(shè)
  • 氮化鎵為何被如此看好，能否替代硅基材料大放異彩？
    發(fā)布日期：2024-07-19     292 次
    氮化鎵材料相較于硅基材料，顯著優(yōu)勢體現(xiàn)在節(jié)能、成本節(jié)約及材料省用上。其核心亮點(diǎn)在于其超快的開關(guān)速度，在硅、碳化硅與氮化鎵三者中獨(dú)占鰲頭。這一特性直接促進(jìn)了開關(guān)頻率的大幅提升，進(jìn)而允許大幅縮減被動元器件及散熱器的尺寸與數(shù)量，有效降低了物料消耗，彰顯了氮化鎵在物料節(jié)省方面的卓越能力。此外，在效率層面，氮
  • 激光精密揭示單原子半導(dǎo)體的秘密主題：成像
    發(fā)布日期：2024-07-19     231 次
    物理學(xué)家開發(fā)了一種突破性技術(shù)，利用高分辨率顯微鏡和超快激光精確識別半導(dǎo)體中的缺陷。這種新方法在納米級組件中特別有效，使得觀察原子缺陷周圍電子運(yùn)動的細(xì)節(jié)前所未有地清晰，大大推動了半導(dǎo)體物理領(lǐng)域的發(fā)展，并為像石墨烯這樣的材料帶來了新的可能性。先進(jìn)的半導(dǎo)體分析將越來越智能和強(qiáng)大的電子設(shè)備裝入不斷縮小的設(shè)備
  • 1nm制程集成電路新賽道準(zhǔn)備就緒！
    發(fā)布日期：2024-07-19     220 次
    近日，北京科技大學(xué)與新紫光集團(tuán)簽署了戰(zhàn)略合作協(xié)議。雙方將聚焦先進(jìn)制程集成電路的前瞻技術(shù)和關(guān)鍵核心技術(shù)研究，開展科技創(chuàng)新、成果轉(zhuǎn)化、人才培養(yǎng)等全方位合作，共同打造集成電路領(lǐng)域的未來科學(xué)與技術(shù)戰(zhàn)略高地。據(jù)北京科技大學(xué)介紹，雙方將共同建設(shè)“二維材料與器件集成技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心”“8英寸二維半導(dǎo)體晶圓制造與集成
  • 復(fù)旦大學(xué)發(fā)現(xiàn)新型高溫超導(dǎo)體,成果登《Nature》
    發(fā)布日期：2024-07-19     219 次
    7 月 18 日消息，復(fù)旦大學(xué)物理學(xué)系趙俊團(tuán)隊利用高壓光學(xué)浮區(qū)技術(shù)成功生長了三層鎳氧化物 La4Ni3O10高質(zhì)量單晶樣品，證實(shí)了鎳氧化物中具有壓力誘導(dǎo)的體超導(dǎo)電性(bulk superconductivity)，其超導(dǎo)體積分?jǐn)?shù)達(dá)到 86%。▲La4Ni3O10-δ單晶樣品照片研究還發(fā)現(xiàn)該類材料呈現(xiàn)出奇異金屬和獨(dú)特的層間耦

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