洋光學(xué)(Ocean Optics)長期以來一直為半導(dǎo)體工藝設(shè)備供應(yīng)商的新材料研究提供強(qiáng)大支持,同時協(xié)助用戶克服等離子刻蝕、沉積、涂層和清潔等方面的困難和挑戰(zhàn)。海洋光學(xué)的光譜儀,基于光學(xué)發(fā)射光譜技術(shù),被廣泛應(yīng)用于等離子體監(jiān)測,并在刻蝕終點(diǎn)檢測方面表現(xiàn)出色。
實(shí)驗(yàn)采用光學(xué)發(fā)射光譜(OES)方法,分別使用紫外波段的ST微型光譜儀、通用型SR4光譜儀以及高分辨率的HR4和HR6光譜儀進(jìn)行測試。
所有光譜儀均配置了25μm的狹縫,積分時間設(shè)定為1秒,平均次數(shù)設(shè)置為1,滑動平均設(shè)置在0-1之間。根據(jù)具體使用情境,積分時間分別設(shè)定為200ms、400ms或600ms,最后對光譜數(shù)據(jù)進(jìn)行了歸一化處理。
我們使用了一種系統(tǒng),用于進(jìn)行批量等離子體刻蝕和等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD),并監(jiān)測了氧氣和四氟化碳在99 SCCM和50 SCCM的流速下的等離子體情況(SCCM標(biāo)準(zhǔn)立方厘米每分鐘)。氧氣可用于清洗腔內(nèi)表面或與其他氣體混合用于蝕刻,而四氟化碳則用于蝕刻硅、氧化硅、氮化硅等材料。
每個光譜儀都連接一根400μm的光纖,并通過相應(yīng)的法蘭光纖轉(zhuǎn)接頭以及工業(yè)級附件連接到腔室中,以在50W、200W和400W的功率下進(jìn)行等離子體檢測。
圖1:所有測量都使用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的等離子體沉積和蝕刻工具。右下角為海洋光學(xué)光譜儀。
測試所用光譜儀均表現(xiàn)出色,可以根據(jù)不同的測試需求選擇合適的光譜儀和配置,包括特定等離子體氣體檢測、光學(xué)分辨率要求以及熱穩(wěn)定性需求(尤其在工藝環(huán)境中存在溫度變化較大的情況下)。這為用戶提供了更大的靈活性,以滿足各種應(yīng)用場景需求。
測量氧等離子體——50W功率
相比SR和ST,HR4和HR6的響應(yīng)更好,光譜峰也更明顯。
SR和ST具有相當(dāng)?shù)捻憫?yīng),但ST光譜數(shù)據(jù)呈現(xiàn)出更清晰的峰(如圖2所示)。
圖2:HR系列光譜儀在低功率條件下測量氧等離子體時具有更好的性能。
圖3中可以更清楚地看到HR4和HR6光譜儀相較于另外兩個型號的優(yōu)勢。
HR系列光譜儀的緊湊設(shè)計(jì)和出色的光學(xué)分辨率,使其能夠提供更加準(zhǔn)確的光譜數(shù)據(jù),在等離子體相關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出色。因此在將光學(xué)發(fā)射光譜(OES)技術(shù)應(yīng)用到等離子體監(jiān)測過程中,HR系列光譜儀是理想的選擇。
圖3:在測量400W功率(本次實(shí)驗(yàn)中最高功率設(shè)置)條件下的四氟化碳等離子體時,HR系列光譜儀在更寬的波長范圍內(nèi)獲得更好的光譜數(shù)據(jù)。
在等離子體監(jiān)測應(yīng)用中,HR系列光譜儀的另一個顯著優(yōu)勢是其能夠覆蓋更廣泛的光譜范圍,包括從紫外到短波近紅外波段。
通常,大多數(shù)OES系統(tǒng)僅能覆蓋紫外至可見波段,因?yàn)檫@是關(guān)鍵反應(yīng)發(fā)生的波段,例如氧氣峰值產(chǎn)生或損失的終點(diǎn)檢測。
而在實(shí)際應(yīng)用場景中,近紅外波段的信號也非常重要。因?yàn)樵诘凸β蕳l件下,等離子體信號更多存在于近紅外波段,操作員可能無法透過室窗觀察等離子體的輝光。
在這種情況下,HR光譜儀可以探測到等離子體的近紅外峰,幫助確認(rèn)等離子體輝光的存在,這是一項(xiàng)非常實(shí)用的功能(如圖4所示)。
圖4:即使在低功率設(shè)置下的等離子體,HR6光譜儀在>700 nm波段也有較強(qiáng)的光譜響應(yīng)。
光譜學(xué)方法在測量等離子體發(fā)射光譜和監(jiān)測等離子體蝕刻過程方面被證明是一種高效的技術(shù)。通過結(jié)合光譜硬件和技術(shù),半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商能夠持續(xù)改進(jìn)和完善其蝕刻過程和技術(shù)。
新一代的海洋光學(xué)光譜儀,特別是HR系列高分辨率光譜儀,提供了出色的光學(xué)測量設(shè)備。
海洋光學(xué)的光學(xué)發(fā)射光譜測量系統(tǒng)和先進(jìn)的數(shù)據(jù)處理算法進(jìn)一步優(yōu)化了刻蝕過程,特別適用于等離子體刻蝕過程的監(jiān)測和控制。這為芯片設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)域的工業(yè)客戶和集成商提供了優(yōu)質(zhì)的光學(xué)解決方案,有助于提高生產(chǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量。
發(fā)布日期: 2024-12-04
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