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英特爾High NA EUV光刻機有望在三代節(jié)點沿用

發(fā)布日期：2024-04-23     300 次

4 月 22 日消息，英特爾近日宣布完成世界首臺商用 High NA EUV 光刻機的安裝。

而在上周的一場電話會議上，英特爾院士馬克?菲利普斯（Mark Phillips）表示這臺耗資約 3.5 億美元（當前約 25.38 億元人民幣）的龐然大物年內(nèi)就將啟用。

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菲利普斯是英特爾代工旗下邏輯技術開發(fā)部門的光刻、硬件和解決方案主管。他表示英特爾將于今年晚些時候?qū)?High NA EUV 光刻機投入制程開發(fā)工作。

英特爾將在 18A 尺度的概念驗證節(jié)點上對 High NA EUV 和傳統(tǒng) 0.33NA EUV 光刻的混合使用進行測試，并在之后的 14A 節(jié)點上進入商業(yè)化量產(chǎn)階段。

菲利普斯預測 High NA EUV 光刻機至少可在三代的未來節(jié)點上沿用，從而將光刻技術的名義尺度突破到 1nm 以下量級。

關于未來光刻技術發(fā)展，菲利普斯認為將光線波長進一步縮短至 6.7nm 會引入大量新的問題，包括明顯更大的光學組件；在他眼中，更高的數(shù)值孔徑（Hyper NA）是可能的技術方向。

對于 High NA EUV 光刻帶來的單芯片理論最大面積減小問題，菲利普斯表示英特爾正同 EDA 企業(yè)一道就芯片“縫合”技術進行開發(fā)，以方便設計師使用。


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