5 月 17 日，據(jù)日媒報(bào)道，佳能公司在半導(dǎo)體光刻機(jī)業(yè)務(wù)上已展現(xiàn)出復(fù)蘇的強(qiáng)勁勢(shì)頭。盡管過(guò)去在與荷蘭阿斯麥和尼康的競(jìng)爭(zhēng)中，佳能未能成功生產(chǎn)出 ArF 浸沒式光刻機(jī)和 EUV（極紫外）光刻機(jī)，但近期他們通過(guò)推出納米壓印光刻裝置（nanoimprint lithography），成功奪回了在尖端封裝用途市場(chǎng)的主導(dǎo)地位。這一技術(shù)突破使佳能再次站在了微細(xì)化技術(shù)的前沿。

為了與產(chǎn)品線全面的阿斯麥展開競(jìng)爭(zhēng)，佳能正積極研發(fā)一度放棄的 ArF 干式（Dry）光刻機(jī)，為未來(lái)的市場(chǎng)崛起做準(zhǔn)備。根據(jù)日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省的數(shù)據(jù)，阿斯麥在半導(dǎo)體光刻機(jī)市場(chǎng)上占據(jù)了超過(guò)九成的份額，尤其在 EUV 光刻機(jī)領(lǐng)域，其壟斷地位更是無(wú)人能及。EUV 光刻機(jī)，作為臺(tái)積電、三星電子和英特爾等頂尖制造商不可或缺的裝備，其高昂的價(jià)格也反映了其技術(shù)的高度和市場(chǎng)的價(jià)值。

然而，值得注意的是，即使在最先進(jìn)的半導(dǎo)體制造過(guò)程中，也并非所有層都需要使用 EUV 或 ArF 浸沒式光刻機(jī)。對(duì)于加工尺寸較大的層，佳能憑借其 i 線光刻機(jī)和 KrF 光刻機(jī)在市場(chǎng)上占據(jù)了顯著的份額。這些設(shè)備在 CMOS 圖像傳感器、硅和碳化硅功率半導(dǎo)體等領(lǐng)域也有著廣泛的應(yīng)用。

特別是在尖端封裝領(lǐng)域，佳能的后工序用 i 線光刻機(jī)已經(jīng)成為行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。這種設(shè)備在 2.5D/3D 封裝過(guò)程中發(fā)揮了關(guān)鍵作用，支持了包括美國(guó)英偉達(dá) AI 半導(dǎo)體在內(nèi)的大量需求。憑借這一優(yōu)勢(shì)，佳能在臺(tái)積電、三星和英特爾等頂尖制造商中贏得了大量訂單。