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基于第三代半導(dǎo)體氮化鎵和氮化鈧鋁異質(zhì)集成射頻微系統(tǒng)芯片研究”項(xiàng)目啟動會暨實(shí)施方案論證會在云塔科技（安努奇）舉行

發(fā)布日期：2024-01-19     460 次

據(jù)云塔科技消息，1月15日，中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院孫海定教授牽頭的國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“戰(zhàn)略性科技創(chuàng)新合作”重點(diǎn)專項(xiàng)“基于第三代半導(dǎo)體氮化鎵和氮化鈧鋁異質(zhì)集成射頻微系統(tǒng)芯片研究”項(xiàng)目啟動會暨實(shí)施方案論證會在云塔科技（安努奇）舉行。

該項(xiàng)目是由中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)牽頭，香港科技大學(xué)作為香港方合作單位以及安徽安努奇科技有限公司作為參研單位，共同開展聯(lián)合攻關(guān)。

消息稱，項(xiàng)目面向國家在高頻、大帶寬和高功率密度戰(zhàn)略性高端通信芯片和射頻模組的迫切需求，開展基于第三代半導(dǎo)體氮化鎵和氮化鈧鋁（GaN/AlScN）異質(zhì)集成射頻微系統(tǒng)芯片研究，充分結(jié)合中科大、港科大、安努奇科技三方在射頻前端領(lǐng)域的技術(shù)優(yōu)勢與產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗(yàn)，針對關(guān)鍵技術(shù)難題組建課題攻關(guān)小組，提高射頻微系統(tǒng)芯片的技術(shù)創(chuàng)新能力，實(shí)現(xiàn)攻堅(jiān)克難與關(guān)鍵核心技術(shù)的突破，促進(jìn)我國射頻前端整體水平進(jìn)入國際先進(jìn)行列。


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