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中央硝子新技術(shù)可使SiC基板成本降低10%

發(fā)布日期：2024-06-27     337 次

據(jù)日經(jīng)中文網(wǎng)報道，日前，日本中央硝子（Central Glass）開發(fā)出了用于功率半導體尖端材料“碳化硅（SiC）”基板的新制造技術(shù)。

中央硝子開發(fā)出了利用含有硅和碳的溶液來制造碳化硅基板的技術(shù)。與使用高溫下升華的碳化硅使單晶生長的傳統(tǒng)技術(shù)相比，更容易增大基板尺寸以及提高品質(zhì)，這可使基板的制造成本降低1成以上，不合格率也會大幅降低。利用兩種元素混合而成的溶液，很難制作出均勻的晶體，此前一直未實現(xiàn)實用化。中央硝子運用基于計算機的計算化學，通過推算溶液的動態(tài)等，成功量產(chǎn)出了6英寸口徑基板，該公司打算最早于2030年把尺寸擴大到8英寸。

目前，該公司已開始與歐美的大型半導體企業(yè)等接洽，最早將于2024年夏天開始向客戶提供樣品，2027～2028年實現(xiàn)商業(yè)化。還將在日本國內(nèi)的工廠實施數(shù)十億日元規(guī)模的投資，目標是達到10％以上的份額。

此外，artience（原日本東洋油墨SC控股）也在新型接合材料的實用化方面看到了眉目。

artience新開發(fā)出了用于接合芯片和銅等基板的“納米燒結(jié)銀接合材料”，具有無需加壓也能提高接合性的特點，可使接合工序的生產(chǎn)設(shè)備初始投資降低到原來的六分之一。通過節(jié)省加壓所需要的時間，還能使接合時的生產(chǎn)效率提高到4倍。目前已有半導體廠商進行洽購，計劃最早于2026年實現(xiàn)1噸的年產(chǎn)量，到2030年增產(chǎn)至3噸。如果只用于功率半導體的接合，1噸相當于約300萬輛EV的用量。

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