4月9日消息，美國(guó)政府宣布，計(jì)劃向臺(tái)積電提供66億美元現(xiàn)金補(bǔ)貼、50億美元低息貸款，總額116億美元，約合人民幣840億元，支持其在美國(guó)本土的芯片制造。

這是美國(guó)根據(jù)《芯片與科學(xué)法案》所批準(zhǔn)的最大一筆投資。

同時(shí)，臺(tái)積電計(jì)劃在美國(guó)亞利桑那州鳳凰城建設(shè)第三座晶圓廠，在美投資總額將超過(guò)650億美元，約合人民幣4700億元。

臺(tái)積電在美國(guó)第一座晶圓廠Fab 21一期工程計(jì)劃2025年上半年投產(chǎn)，引入5nm、4nm工藝。

Fab 21二期工程計(jì)劃2028年投產(chǎn)，上馬3nm、2nm工藝。

二者合計(jì)年產(chǎn)能可超過(guò)60萬(wàn)塊晶圓，產(chǎn)品市場(chǎng)價(jià)值超過(guò)400億美元。

最新規(guī)劃的第三座晶圓廠計(jì)劃升級(jí)到2nm和更先進(jìn)工藝，但投產(chǎn)時(shí)間未定，可能要到2029-2030年，也就是第二座工廠完工之后。

臺(tái)積電的這些投資，將為美國(guó)創(chuàng)造6000個(gè)高科技制造工作崗位，以及超過(guò)2萬(wàn)個(gè)建筑工作機(jī)會(huì)，還會(huì)花費(fèi)5000萬(wàn)美元培訓(xùn)當(dāng)?shù)毓と恕?/p>

不過(guò)，臺(tái)積電在美投資建廠也面臨諸多問(wèn)題，尤其是進(jìn)度遠(yuǎn)不如預(yù)期，一二期工廠最早規(guī)劃的投產(chǎn)時(shí)間分別是2024年和2026年。

美國(guó)《芯片與科學(xué)法案》的其他高科技投資還有：Intel 85億美元直接補(bǔ)貼和110億美元低息貸款、GlobalFoundries 15億美元直接補(bǔ)貼、Microchip 1.62億美元直接補(bǔ)貼、BAE 3500萬(wàn)美元直接補(bǔ)貼。

三星也正擴(kuò)大在美投資，預(yù)計(jì)可獲得60億美元補(bǔ)貼。