據(jù)媒體報(bào)道，三星電子高管近日透露，該公司完成了采用16層混合鍵合 HBM 內(nèi)存技術(shù)驗(yàn)證，已制造出基于混合鍵合技術(shù)的16層堆疊HBM3內(nèi)存樣品，該內(nèi)存樣品工作正常，未來16層堆疊混合鍵合技術(shù)將用于HBM4內(nèi)存量產(chǎn)。

混合鍵合技術(shù)，作為新型的內(nèi)存鍵合方式，相較于傳統(tǒng)工藝，展現(xiàn)出了顯著的優(yōu)勢(shì)。

它摒棄了DRAM內(nèi)存層間添加凸塊的繁瑣步驟，通過銅對(duì)銅的直接連接方式實(shí)現(xiàn)層間連接，從而大大提高了工作效率。

這種創(chuàng)新不僅顯著提升了信號(hào)傳輸速率，更好地滿足了AI計(jì)算對(duì)高帶寬的迫切需求，而且有效降低了DRAM層間距，使得HBM模塊的整體高度得到顯著縮減，進(jìn)一步提升了其集成度和便攜性。

盡管混合鍵合技術(shù)的成熟度和應(yīng)用成本一直是業(yè)界關(guān)注的焦點(diǎn)，但三星電子通過多元化的策略，積極應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)。在推進(jìn)混合鍵合技術(shù)研究與應(yīng)用的同時(shí)，公司還同步開發(fā)傳統(tǒng)的TC-NCF工藝，以實(shí)現(xiàn)技術(shù)多樣化，降低風(fēng)險(xiǎn)，并增強(qiáng)整體競(jìng)爭(zhēng)力。

據(jù)悉，三星設(shè)定的目標(biāo)是將HBM4中的晶圓間隙縮減至7.0微米以內(nèi)，這將進(jìn)一步提升HBM4的性能和可靠性，為未來的計(jì)算應(yīng)用奠定堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。

業(yè)內(nèi)專家對(duì)此表示，三星在16層混合鍵合堆疊工藝技術(shù)方面的突破，無疑將有力推動(dòng)HBM內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展，為未來的計(jì)算應(yīng)用提供更為強(qiáng)大的內(nèi)存支持。