5月9日消息，今天，國家信息光電子創(chuàng)新中心宣布，和鵬城實(shí)驗(yàn)室的光電融合聯(lián)合團(tuán)隊(duì)完成了2Tb/s硅光互連芯粒（chiplet）的研制和功能驗(yàn)證。

這也是在國內(nèi)首次驗(yàn)證了3D硅基光電芯粒架構(gòu)，實(shí)現(xiàn)了單片最高達(dá)8×256Gb/s的單向互連帶寬。

發(fā)射芯粒

據(jù)介紹，團(tuán)隊(duì)在2021年1.6T硅光互連芯片的基礎(chǔ)上，進(jìn)一步突破了光電協(xié)同設(shè)計(jì)仿真方法，研制出硅光配套的單路超200G driver和TIA芯片。

同時還攻克了硅基光電三維堆疊封裝工藝技術(shù)，形成了一整套基于硅光芯片的3D芯粒集成方案。

接收芯粒

經(jīng)系統(tǒng)傳輸測試，8個通道在下一代光模塊標(biāo)準(zhǔn)的224Gb/s PAM4光信號速率下，TDECQ均在2dB以內(nèi)。

通過進(jìn)一步鏈路均衡，最高可支持速率達(dá)8×256Gb/s，單片單向互連帶寬高達(dá)2Tb/s。

硅光互連芯粒的側(cè)向顯微鏡結(jié)構(gòu)

目前在芯片技術(shù)的發(fā)展過程中，隨著芯片制程的逐步縮小，互連線引起的各種效應(yīng)成為影響芯片性能的重要因素。

而硅光子技術(shù)可以將電換成傳輸速度更快的光，實(shí)現(xiàn)更快的傳輸速率、更遠(yuǎn)的傳輸距離以及更低的功耗和延遲。

華為、臺積電、英特爾、IBM、Oracle等巨頭都在推進(jìn)硅光的產(chǎn)業(yè)化，未來可能會成為一個像集成電路那樣大規(guī)模的產(chǎn)業(yè)。