8月26日消息，據(jù)日經(jīng)新聞報(bào)道，日本專(zhuān)業(yè)的半導(dǎo)體分析機(jī)構(gòu)TechanaLye社長(zhǎng)清水洋治表示，隨著中國(guó)半導(dǎo)體實(shí)力進(jìn)步，已經(jīng)達(dá)到了僅落后臺(tái)積電三年的水平。美國(guó)的出口管制措施僅稍微拖慢中國(guó)的技術(shù)革新，但卻進(jìn)一步刺激了中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的自主生產(chǎn)腳步。

清水洋治以2021年華為旗艦手機(jī)處理器Kirin 9000和2024年4月開(kāi)售的華為最新智能手機(jī)華為Pura 70 Pro的處理器“Kirin 9010”為例，兩款芯片均由華為旗下海思半導(dǎo)體設(shè)計(jì)，Kirin 9000是由臺(tái)積電5nm代工，而Kirin 9010則是由中國(guó)國(guó)產(chǎn)7nm工藝代工。

作為每年拆解約100項(xiàng)電子產(chǎn)品的半導(dǎo)體調(diào)查公司，TechanaLye在報(bào)告中指出，一般來(lái)說(shuō)，晶體管線寬變細(xì)的話，處理器的性能就會(huì)變高、芯片面積也可以變小。清水洋治表示，采用國(guó)產(chǎn)7nm工藝量產(chǎn)的Kirin 9010芯片面積為118.4平方毫米，與臺(tái)積電5nm芯片的Kirin 9000面積（107.8平方毫米）差距不大，不過(guò)處理性能卻幾乎相同。

清水洋治表示，雙方在良率上雖有落差，但從出貨的芯片性能來(lái)看，中國(guó)半導(dǎo)體邏輯制程的制造實(shí)力已經(jīng)逼近到僅落后臺(tái)積電三年的地步。

報(bào)告稱，除了DRAM芯片和傳感器外，華為Pura 70 Pro合計(jì)搭載了37個(gè)主要半導(dǎo)體器件，其中海思半導(dǎo)體設(shè)計(jì)了其中的14個(gè)、其他中國(guó)廠商負(fù)責(zé)18個(gè)，非中國(guó)制產(chǎn)品僅DRAM（SK Hynix）、運(yùn)動(dòng)感測(cè)器（Bosch）等5個(gè)，也就是說(shuō)，高達(dá)86%半導(dǎo)體為中國(guó)制造。

關(guān)于中國(guó)能自主生產(chǎn)如此廣泛的半導(dǎo)體產(chǎn)品，清水洋治認(rèn)為，“這代表美國(guó)管制對(duì)象實(shí)質(zhì)上僅限于使用在AI等用途的服務(wù)器用先進(jìn)半導(dǎo)體。只要不構(gòu)成軍事威脅，（美國(guó)）應(yīng)該就會(huì)容許?！?/p>

清水洋治總結(jié)指出，“美國(guó)政府的管制措施、當(dāng)前僅是稍微拖慢中國(guó)的技術(shù)革新，但卻刺激了中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的自家生產(chǎn)腳步?！?/p>