近日，我國在8英寸碳化硅領域多番突破，中國電科48所8英寸碳化硅外延設備再升級，三義激光首批碳化硅激光設備正式交付，天岳先進8英寸碳化硅襯底批量銷售，上海漢虹成功制備8英寸碳化硅晶體。8英寸碳化硅時代已呼嘯而來，未來將會有更多廠商帶來新的產(chǎn)品和技術，我們拭目以待。

關鍵突破！中國電科48所8英寸碳化硅外延設備再升級

近日，中國電科48所自主研發(fā)的8英寸碳化硅外延設備關鍵技術再獲突破。

圖片來源：中國電科

據(jù)中國電科官方消息，碳化硅外延爐是第三代半導體碳化硅器件制造的核心裝備之一。此次“全新升級”的8英寸碳化硅外延設備，具備更快、更好、更穩(wěn)定的特點，通過改進激光視覺定位、晶圓自糾偏等技術，設備自動化性能更加成熟，提升產(chǎn)品生產(chǎn)效率。設備還成功引入新的摻雜技術，進一步提升產(chǎn)品良率，持續(xù)降低生產(chǎn)成本。

三義激光：首批碳化硅激光設備正式交付

9月5日，三義激光在官微透露，他們自主研發(fā)、生產(chǎn)的首批6&8英寸碳化硅激光滾圓設備順利完成生產(chǎn)并正式交付客戶，標志著公司在高端激光加工設備領域取得了重要進展。

圖片來源：三義激光

據(jù)悉，三義激光碳化硅激光設備能利用高能激光束進行精準加工，提高生產(chǎn)效率，降低損耗，提升產(chǎn)品良率，為碳化硅的精細加工提供了高效、精準的解決方案，并具激光非接觸式加工、7×24小時無間斷工作、設備運行無需耗材等優(yōu)

上海漢虹：制備8英寸碳化硅晶體

8月30日，上海漢虹官微宣布，他們在拉晶實驗室中，使用自行研發(fā)制造的碳化硅長晶爐成功拉制出高品質(zhì)8英寸碳化硅晶體，此晶體具備優(yōu)良的均勻性和低缺陷密度，直徑達到200毫米標準，電阻率和晶向均符合高端應用要求。

據(jù)悉，該晶體的制備使用了上海漢虹自行研發(fā)制造的碳化硅長晶爐，采用上進料方式和自動化控制，通過熱場旋轉(zhuǎn)及熱場工藝穩(wěn)定性設計，確保晶體生長過程中的溫度均勻性和穩(wěn)定性，目標為新能源汽車、5G通訊等新興產(chǎn)業(yè)的進一步發(fā)展提供材料基礎。
天岳先進8英寸碳化硅襯底批量銷售

近日，天岳先進披露了今年上半年財報，公司 2024 年上半年實現(xiàn)營業(yè)收入9.12億元，較上年同期增長 108.27%。公司連續(xù)9個季度保持營收增長趨勢。上 半年實現(xiàn)歸母凈利潤1.02億元，較上年同期扭虧為盈。

在技術研發(fā)上，天岳先進自主擴徑實現(xiàn)了2-8英寸碳化硅單晶和襯底的開發(fā)。目前該公司還在開發(fā)了液相法長晶技術，這在行業(yè)內(nèi)僅有的極少數(shù)。階段性成果顯著，包括公司通過液相法實現(xiàn)了8inchN型4H-SiC單晶及襯底、P型4H-SiC單晶及襯底、N型3CSiC單晶及襯底等制備。

銷售方面，天岳先進在8英寸襯底上進行了前瞻性布局，已經(jīng)具備先發(fā)優(yōu)勢和領先地位。公司不僅實現(xiàn)8英寸碳化硅襯底國產(chǎn)化替代，公司8英寸碳化硅襯底已經(jīng)率先實現(xiàn)海外客戶批量銷售。擴產(chǎn)方面，該公司上海臨港工廠二期 8 英寸碳化硅襯底擴產(chǎn)計劃正在推進中，公司將分階段達到規(guī)劃的8英寸襯底產(chǎn)能。