4 月 25 日消息，臺(tái)積電在近日公布的 2023 年報(bào)中表示，其背面供電版 N2 制程節(jié)點(diǎn)定于 2025 下半年向客戶推出，2026 年實(shí)現(xiàn)正式量產(chǎn)。

臺(tái)積電表示其 N2 制程將引入其 GAA 技術(shù)實(shí)現(xiàn) —— 納米片（Nanosheet）結(jié)構(gòu)，在性能和能效方面都提升一個(gè)時(shí)代，預(yù)計(jì)于 2025 年啟動(dòng)量產(chǎn)。

而引入背面電軌（Backside Power Rail）方案的 N2 衍生版本“最適用于高效能運(yùn)算相關(guān)應(yīng)用”，將在標(biāo)準(zhǔn)版 N2 后投入商用。

傳統(tǒng)芯片采用自下而上的制造方式，先制造晶體管再建立用于互連和供電的線路層。但隨著制程工藝的收縮，傳統(tǒng)供電模式的線路層越來越混亂，對(duì)設(shè)計(jì)與制造形成干擾。

背面供電將芯片供電網(wǎng)絡(luò)轉(zhuǎn)移至晶圓背面，可簡(jiǎn)化供電路徑，解決互連瓶頸，減少供電對(duì)信號(hào)的干擾，最終可降低平臺(tái)整體電壓與功耗。

臺(tái)積電在先進(jìn)制程代工領(lǐng)域的兩大對(duì)手也在積極布局背面供電技術(shù)。

其中英特爾將在今年上半年的 Intel 20A 節(jié)點(diǎn)導(dǎo)入背面供電；另?yè)?jù)以往報(bào)道，三星也有望在 2025 年的 SF2 節(jié)點(diǎn)應(yīng)用此技術(shù)。

換句話說，2nm 制程將成為背面供電進(jìn)入商業(yè)應(yīng)用的標(biāo)志節(jié)點(diǎn)。