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800V高壓平臺標配!深度解析國產SiC主驅模塊如何實現(xiàn)能耗降低20%

發(fā)布日期:2025-04-21     187 次

全球新能源汽車正經歷"功率躍遷",據(jù)IDTechEX數(shù)據(jù)顯示,800V高壓平臺車型的SiC滲透率已達71%,主驅系統(tǒng)正向1200V/450A+高功率架構演進。華潤微電子PDBG基于自主SiC IDM平臺,創(chuàng)新推出雙拓撲結構主驅模塊,其DCM/HPD系列產品實測結溫控制、均流特性等核心指標已超越國際競品。


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【硬核技術拆解】


1. 芯片級創(chuàng)新:采用Vth分檔技術實現(xiàn)6-8管精準并聯(lián),導通損耗降低至競品A的83%


2. 封裝黑科技:


  ●   雙面銀燒結+AMB氮化硅基板:寄生電感<5nH(較傳統(tǒng)DBC降低40%)

  ●   3D Pin-Fin水道設計:熱阻系數(shù)優(yōu)化18%,實測芯片溫差1.78℃(行業(yè)平均>3℃)


3. 系統(tǒng)級驗證:


  ●   臺架測試400Arms工況下,模塊效率>98.7%

  ●   160小時耐久測試參數(shù)漂移<2%,滿足ASIL-D功能安全要求


【800V生態(tài)布局】


針對800V平臺特殊需求,模塊集成:


  ●   智能NTC傳感器:溫度采樣精度±1℃

  ●   低電感端子設計:支持20kHz以上開關頻率

  ●   耐離子遷移封裝:通過85℃/85%RH-1000h可靠性認證


【國產替代突破】


華潤微電子已建成月產5萬片的車規(guī)級SiC產線,其DCM模塊相較進口產品:


  ●   開關損耗降低22%

  ●   功率密度提升至45kW/L(行業(yè)基準40kW/L)

  ●   系統(tǒng)成本下降15%(得益于AMB基板國產化)


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